国际半导体照明联盟（ISA）主席、中国科技部原副部长曹健林作开幕大会报告
我国半导体照明进入产业大国向强国转变关键期
在材料领域，我国有自己的发展目标，2030年要建设世界材料大国。我们常说一代材料，一代器件，一代装备，一代应用。以Si、Ge为代表的第一代半导体材料，主要应用于以计算机和数据中心为代表的数据处理和存储设备等，在多种机器装备为“大脑” ，可以减轻劳动强度，提高效率，自动化，智能化。以GaAs、InP为代表的第二代半导体材料，广泛应用于LED、LED等光电子器件，通信装备，移动通信、互联网、物联网、智慧城市等领域。以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料，应用涉及全光谱发光器件（包括LED和LD） ，移动通信、互联网、物联网、智慧城市，照明革命，通信升级换代，新交通工具，新能源应用等。
其中，半导体照明是第三代半导体产业首个突破口，是目前产业化最成熟的部分。我国半导体照明相关技术，这年来有了飞跃式的发展。LED关键技术实现了从跟跑、并跑，到部分领域领跑。2016年，我国功率型白光LED产业化光效160 lm/W（国际厂商176 lm/W)。 LED室内灯具光效超过90lm/W, 室外灯具光效超过110lm/W。自主知识产权的硅基LED技术、深紫外LED技术达到国际先进水平：智能照明、光健康、光通讯等创新应用研究处于全球领先地位。
除此之外，我国LED产业规模全球最大，2016年，我国半导体照明产业整体产值达到5216亿元，同比增长22.8%。 2017有望突破6500亿元。应用市场全面启动，LED通用照明仍然是应用市场的第一驱动力；显示应用迎来了新一波增长，汽车照明及超越照明应用成为新蓝海。2017年LED汽车照明高速增长，同比增长26%，占整体应用市场1.4%；LED农业、医疗等创新应用也成为亮点，同比增长超过30%；背光应用市场增长趋缓，占整体应用市场比例有所下降。
放眼未来中国半导体照明市场需求空间非常大，我国也是全球最大的半导体照明生产、消费和出口国。企业竞争能力大幅提升，积极进入国际市场。其中，LED上市公司近150家，其中主板35家，新三板112家；2017年上半年，LED上市公司景气回升，供销两旺，营收和利润增幅创近三年最高；同时，三安、木林森、飞乐等企业通过跨国并购，积极进入国际竞争市场。
当前，我国进入半导体照明产业大国向强国转变的关键期，新科技、新经济、新业态加快LED技术进步与应用拓展。新一代信息、生物、制造、新材料技术与LED技术融合发展，为LED发展创造重要机遇；全光谱、高品质、光健康、智能化成发展趋势；生物、安全、健康、杀菌消毒、农业光照等多样化应用需求提供新的市场切入点。
其中，健康照明与光健康/医疗成为研究热点，智慧照明成为物联网的下一个“风口”，LED照明产品：数字化、可控制、高效率、寿命长等特性，使NB-IoT等智慧照明系统深度调光、可编程性能、频谱控制和环境集成等成为现实。农业照明也开启LED应用新领域，各类新型显示都在发展，新型显示产业多种技术路线并存，OLED、量子点、激光显示和柔性显示等新型技术不断创新，成为产业持续发展的新动能。
重塑全球第三代半导体产业格局
我国第三代半导体的发展得到了国家政策的支持，也将在国家战略性发展中发挥重要作用。包括支撑国家能源战略，实现国际引领，推动传统电网向半导体电网发展。支撑高速列车、新能源汽车等核心动力系统的跨越式发展，发展高速列车、新能源汽车是我国实现产业战略升级和低碳经济的重要途径，将SiC器件用于电机驱动等环节将大幅提高功率密度降低整车成本，节约能耗。还能支撑节能环保，应对能源与环境面临的严峻挑战。支撑高频、高速、宽带通信系统核心器件的自主可控。以及支撑新一代航空航天装备的自主发展等。
就产业本身来讲，第三代半导体的发展将重塑全球半导体产业的格局。光电子领域半导体照明已经确立了在照明领域的主导地位，电力电子和微波射频产业全球处于起步阶段。当前美国、欧洲、日本等国在第三代半导体领域拥有较强的优势，但我国近年来第三代半导体研发和产业化进展较快，基本形成从晶体生长到器件研发制造的完整产业链。相信第三代半导体发展起来之后，整个国际半导体产业格局会有比较大的变化。预计2021年全球SiC市场规模将超过6亿美元，2016-2021年的复合年增长率（CAGR）19%。 2020年，预计GaN射频器件市场达到7.55亿美元。
中国第三代半导体发展的战略与思考
相对于第一代、第二代半导体来讲，中国第三代半导体应用领域有基础有优势。比如有全球最大、最复杂、发展最快的能源互联网建设，特高压远距离输电、新能源并网、电网控制等技术；全球最高运营速度、最长运营里程、最佳效益高速轨道交通；全球增长最快和最大的新能源汽车市场； 全球最大规模的4G和5G移动通信；全球产能最大、市场最大的半导体照明及超越照明等。
当前，第三代半导体创新发展时机已经成熟，国际半导体产业和装备巨头还未形成专利、标准和规模的垄断，处于窗口期；中国精密加工制造技术和配套能力的迅速进步，各地产业转型升级的需要，使产业界、投资界高度关注第三代半导体技术的发展，是产业创新发展的动力和源泉；具有中国特色的“政产学研用”协同创新模式，为第三代半导体产业的发展提供了可借鉴的经验和成功的可能性。
当然，也要清醒的意识到目前的形势，光电子材料和器件领域与国际先进水平相比处于并跑状态，在市场需求和产业化水平方面处于领跑状态；功率半导体材料和器件、射频材料和器件与国际先进水平相比处于跟跑状态。国内目前产业化格局不尽人意，仅有少量二极管产品，三极管仅有原型器件，没有产业化生产线 ，技术团队缺乏。也面临着挑战，比如研发的持续投入与创新资源整合，如何建立体制机制创新的、开放的公共研发、服务及产业化中试平台；如何进一步建立应用牵引的市场化的新兴产业发展组织模式 ；如何规范和培育应用市场，形成中央、地方发展合力，建立完善的产业生态环境 ；如何有效整合国际创新与产业资源，深度参与国际竞争与合作等。
有目标更有动力，看未来，希望到2030年，我国全产业链达到国际先进水平在光电子、电力电子和微波射频等领域全面得到规模化应用，核心器件国产化率超过70%。全国要一盘棋，发挥区域优势，差异化布局，全链条设计、一体化实施；充分发挥企业在决策、投入和成果转化方面主体作用，需求牵引，以系统创新推动材料和器件创新；上游材料器件突破、中游系统领先、下游应用主导；依托联盟构建利益共同体和研发、产业、资本协同创新发展模式；全球视野，战略高度，全面深度整合国际资源。
推进我国第三代半导体相关产业和技术的加速发展，是支撑国家重大战略需求，重朔全球产业技术格局的重大选择。需要多方努力与支持，形成产业创新体系和可持续发展的生态环境，也需要全面、深入整合和利用国际国内两类资源，希望大家志存高远，建立信任，实现共赢，从利益共同体到命运共同体，共同拥抱第三代半导体新时代。