据悉，英诺赛科氮化镓项目总投资68.55亿元人民币，注册资本20亿元，主要建设从器件设计、驱动IC设计开发、材料制造、器件制备、后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。
该项目建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
英诺赛科CEO孙在亨曾表示，该项目建成后将填补我国高端半导体器件的产业空白。同时，该项目也是该领域全球首个大型量产基地，为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展和其他转型升级行业核心电子元器件。
