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关于芯元基
芯元基自主开发出了一整套全新的可以规模化量产的以化学剥离（CLO）GaN生长衬底为核心的GaN芯片技术及工艺。主要包括：一、复合蓝宝石图形衬底（DPSS)技术，与行业里常用的蓝宝石图形衬底（PSS）技术相比优势明显；二、侧向外延生长技术可以把DPSS衬底上GaN外延层中的位错密度降低到107/cm2，其他异质外延生长技术很难做到小于108/cm2；三、化学剥离生长衬底的工艺，与常规的激光剥离工艺相比，成本和良率优势非常明显，从本质上来讲，激光剥离对芯片的漏电性能有负面影响，化学剥离可以减小芯片的漏电。
芯元基Micro LED芯片的亮度是主要竞争对手的2倍以上，产品性能国际领先，获得了重复的研发订单。芯元基成功地开发出了0.41 inch的单色Micro LED微显示屏，在没有进行Demura的情况下，显示均匀性已经达到同行同类产品Demura后的水平。芯元基在国内首次点亮了4万像素的矩阵车灯，在2024年6月上海国际车灯展会上，效果超过了国际大厂的展品。
芯元基的技术推动了Micro LED芯片的规模化量产，用来生产Mini 薄膜倒装LED芯片，由于省掉了衬底减薄，激光划裂和裂片工序，芯片间不需要划裂沟道，成本优势非常明显。基于薄膜芯片的晶圆级封装技术，能够很好地发挥量子点的优越性能，推动Mini LED背光技术的进一步发展。
GaN材料在电子功率和射频芯片方面的优势也是无与伦比，芯元基的核心技术（DPSS衬底、侧向外延生长技术、化学剥离衬底技术）可以很好的解决电子功率和射频芯片的可靠性和散热问题。
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