日本京都大学教授Naoki SHINOHARA：太阳能卫星及相关波束无线电力传输技术的最新研发进展

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西安电子科技大学王鹏飞；双阈值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于优化Ka波段高电场线性度的多指漏极板研究

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昂瑞微电子副总经理黄鑫：国产突破，中国射频前端产业引领5G 芯时代

播放：1025

山东大学新一代半导体材料研究院研究员崔鹏：电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs

播放：1086

中国电科十三所正高级工程师杜鹏搏：47GHz-52GHz功率放大器芯片套片设计

播放：984

南京理工大学副教授黄同德：28GHz氮化镓基时间调制波束成形系统

播放：1065

能讯高能半导体副总裁裴轶：氮化镓推动5G、射频能源及其他领域的创新

播放：1066

复旦大学教授黄伟：宽带GaN毫米波新器件研究

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国博电子副总经理钱峰：5G移动通信用化合物器件研究

播放：894

澳大利亚麦考瑞大学教授Sourabh KHANDELWAL：Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM

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西交利物浦大学朱昱豪：35-5V单片集成GaN基DC-DC浮动降压转换器

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中科院宁波材料所戴贻钧：无等离子体损伤GaN HEMT极化隔离的设计与优化

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中科院苏州纳米所助理研究员钟耀宗：功率HEMT的p-GaN栅极可靠性及其加固方法

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中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员胡卫国：AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制

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电子科技大学博士陈匡黎： p-GaN Gate HEMT器件阈值稳定性及其机理

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美国弗吉尼亚理工大学助理教授张宇昊：中高压（1-10 kV）氮化镓功率器件新进展

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润新微电子副总经理王荣华：后快充时代的氮化镓功率器件产业化

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