IFWS&SSLCHINA2025
2025先进半导体技术应用创新展(CASTAS2025)
北方华创
第六届全国宽禁带半导体学术会议
会议通知 | 2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会将于9月云南举办!
1200V全垂直硅基氮化镓MOSFET
自主突破,九峰山实验室首发6英寸InP激光器与探测器外延工艺
日程更新| 第五届紫外LED大会暨长治LED产业发展座谈会8月27-29日召开
详细日程出炉!第五届紫外LED大会暨长治LED产业发展座谈会8月27-29日召开
第六届全国宽禁带半导体学术会议胜利闭幕
第六届全国宽禁带半导体学术会议在大连开幕
国际首发!深圳平湖实验室研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延
九峰山实验室新型SiC Trench MOSFET科研级器件样品发布!
邀请函 | 华夏芯智慧邀您共赴第六届全国宽禁带半导体学术会议
详细日程出炉!第六届全国宽禁带半导体学术会议将于8月10-13日在大连举行!
北京大学在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器件重要技术进展
第六届全国宽禁带半导体学术会议8月10-13日大连见!
【邀请函】科利德邀您共赴第六届全国宽禁带半导体学术会议
Science Advances:南京大学联合团队突破外延衬底限制,实现非晶衬底上高质量半导体薄膜外延生长
英诺赛科与联合电子成立氮化镓 (GaN) 技术联合实验室致力于新能源汽车电力电子系统开发
科研成果 | 唐宁、沈波团队与合作者利用深紫外光谱在原子级薄超宽禁带半导体能带结构研究方面取得重要进展
苏州纳米所秦华团队在氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究方面取得进展
第三代半导体产业技术创新战略联盟
  • 北大王玮教授团队在芯片热管理领域取得进展

  • 清华发布新Nature,实现光电融合新突破!

SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展
第十一届国际第三代半导体论坛
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